在半导体器件的制造上,氧化膜具有极为重要的作用。其被利用为MOS晶体管的棚级氧化膜、PN接合部的保护膜、杂质扩散的光罩。制造氧化膜的代表例有:热氧化法及气相成长法(CVD法)。
理论解释编辑
金属钝化理论认为,钝化是由于表面生成覆盖性良好的致密的钝化膜。大多数钝化膜是由金属氧化物组成,故称氧化膜。如铁钝化膜为γ-Fe2O3,Fe3O4,铝钝化膜为无孔的γ-Al2O3等。氧化膜厚度一般为10-9~10-10m。一些还原性阴离子,如Cl-对氧化膜破坏作用较大。
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